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拆解小米、vivo与华为新款手机,国产自研芯片真的起来了?

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据日本EE Times报道,Techanarie近日报告了中国最新智能手机小米12T Pro和Vivo X90 Pro/Pro+的拆解分析结果,发现了不少这两部手机配备的自研芯片的亮点。报道剖析了高通骁龙的三星4nm、台积电4nm两个版本芯片的区别,同时发现小米12T Pro与vivo X90 Pro两部手机的内部结构乎一模一样。本篇结合华为畅想50的拆解报告,一起来看看国产手机的自研之路开展得如何。 自主研发电池充电IC:小米12T Pro 据悉,小米12T Pro于2022年10月发布,搭载骁龙8+ Gen 1芯片组,采用三星电子4nm工艺;小米12S于去年7月发布,全系列搭载有着安卓最强芯之称的新一代骁龙8+ Gen1,采用台积电4nm工艺。 高通从三星的4nm切换到台积电的4nm芯片,出于哪些考虑?Techanarie对骁龙 8 Gen 1 和骁龙 8+ Gen 1芯片进行了开箱,答案变得直观。与三星4nm相比,台积电4nm芯片变小了,因为硅量变小,则从芯片获取的硅数量会增加,从而降低成本。在2022年下半年发布的手机中,其他制造商也在更多地采用使用台积电4nm的骁龙8+ Gen 1 的型号。 报告指出,除芯片数量外,硅尺寸减小还有许多其他好处。如果能够以毫米为单位缩小,则作为基干的时钟和电源也会变短,因此容易有助于高速化。 图:小米12T Pro的外观和内容;图源:Techanarie Report 观察小米12T Pro的内部结构,三镜头相机、子板和天线板连接到主板。主板上排列着处理器等主要半导体芯片,摄像头占据了大约一半的面积。该相机具有OIS(光学图像稳定器)结构。 图:小米12T Pro的主板和摄像头;图源:Techanarie Report 观察小米12T Pro的主板,电路板按功能划分,每个功能都有一个金属屏蔽罩,屏蔽层用作电磁波和散热。当屏蔽层被移除时,可以看到在一张基板的表背上装满了芯片。小米12T Pro拥有一张基板,表背被挤占得很满。左侧为处理器侧,右侧为从背面支持处理器的电源系统。主处理器以POP(包对包)的形式实现,上面是DRAM,下面是处理器。处理器便是高通骁龙 8+Gen 1。DRAM位于正上方,存储器和通信用收发器位于其旁边。 图:小米12T Pro主板;图源:Techanarie Report 报告特别指出,小米12T Pro最大的特点是采用了小米自主研发Surge P1芯片。小米不仅研发并采用了电池充电IC,还有摄像头AI处理器等,而小米12T Pro继续采用了自家芯片,大幅缩短了快充时间。 vivo X90 Pro/Pro+ 机构还拆解了vivo 2022年12月发布的X90 Pro,意外发现该手机的内部结构与小米12T Pro几乎一模一样。但是有一个区别,vivo X90 Pro有两节电池。 图:vivo X90 Pro主板主板;图源:Techanarie Report 观察vivo X90 Pro的电路板,基板为隔着垫片的2层结构,连接在基板的背面。除了通过划分地板来分隔功能外,它还像小米机型一样屏蔽了电磁波和热量。 自研麒麟回归 去年6月6日,华为发布新机畅享50,主打超大电池超长续航,还透露了神秘的“八核芯片”。我国数码博主“数码郎中”在拆解了华为畅享50的过程中,发现其上搭载了一枚“神秘”的CPU芯片HI6260GFCV131H。 安兔兔识别麒麟710A 各种信息透露出,华为畅享50的处理器大概率是麒麟710A,采用中芯国际14nm工艺制造,在2020年初曾现身,而因为华为被制裁,这批大概是库存。结合华为之前公布的芯片堆叠方案,基于14nm通过3D堆叠以及封装技术,华为能够制造出性能优于14nm并接近于7nm制程的芯片。 值得注意的是,对于麒麟系列,华为一般会在芯片丝印的型号后面加一串字符,记录芯片的生产日期和生产地点。而华为畅享50除了芯片型号之外,再没有写其他字符串,显然华为不想让外界知道这颗芯片的生产日期和地点。 从之前Techinsights对华为手机的多次拆解中可以发现,华为在核心SOC的麒麟芯片之外,各种细碎的芯片――RF射频芯片、逻辑控制芯片、电源管理芯片、WiFi芯片都换成了海思自研芯片。 中国手机厂发力细分领域专用AI芯片 EE Times指出,中国厂商不仅在智能手机上开发专用的AI处理器,也在很多领域开发专用的AI处理器,例如海信为REGZA的高端电视开发的“HV8107”。 报告指出,vivo V2采用台积电6nm工艺制造,拥有18TOPS的高运算性能。对vivo V1和V2的芯片进行开孔分析,报告认为两款芯片的研发和商业化都标志着vivo开始发力半导体。vivo X90 Pro的主处理器是联发科的全新处理器“天玑9200”,采用台积电4nm工艺,三层CPU配置,采用Arm目前最顶级的CPU核心“Cortex-X3”。 最后,报告总结出三个机型的内部结构,如下图: 来源:集微网、日本EE Times

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一觉醒来,发现网上报道了我国最近科技界的三个好消息,没想到我们国内的技术发展也如此之快,感觉祖国发展越来越好了。中国量子计算机原型机九章二号问世第一个好消息:中科大团队成功制造了“九章二号”量子计算机原型机,打破了国际上量子计算机最大量子比特数的世界纪录,这是一项重大的科技成果。这个原型机采用了超导量子计算技术,具有62个量子比特,并且实现了可编程的二维量子行走。通过对“量子随机线路取样”任务的快速求解,它比目前最快的超级计算机快一千万倍,并且计算复杂度比谷歌的超导量子计算原型机“悬铃木”高一百万倍。这个成果使得中国首次在超导体系方面达到了“量子计算优越性”里程碑,证明了中国在量子科技领域取得了很多世界第一的成就。目前,中国科学家正在进一步提高量子计算机的稳定性和纠错能力,以期在未来实现“全球量子霸权”,这使得美国只能望洋兴叹。中国发布“Chiplet小芯片”技术标准第二个好消息:在最近举办的第二届中国互连技术与产业大会上,国内集成电路领域的相关企业和专家联合起来制定了一项名为《小芯片接口总线技术要求》的团体标准,这也是国内首个原生Chiplet技术标准,并已经正式发布面向全球。Chiplet技术可以将多个小型芯片组合在一起,形成一个更强大的系统。以苹果公司发布的M1 Ultra为例,它采用的就是Chiplet技术,通过将两个M1 Max芯片“粘接”在一起实现更高的性能和更低的功耗。国内首个小芯片标准的出现对于整个产业链的健康发展意义重大,有助于我国在该领域取得先发优势。此外,从某种程度上来说,Chiplet技术也可以降低我们对美国技术的依赖,为我们实现芯片技术的目标提供更多的选择和机会。真我发布240W超级快充,闪充真正带进读秒时代第三个好消息:最近,真我发布了一款新机,它就是 真我GT Neo5,定位潮玩电竞旗舰,坚持“敢越级”的理想,全球首发量产240W满级秒充,只需 80 秒即可将手机充至 20%,将手机闪充真正带进读秒时代。#真我GT Neo5#真我GT Neo5正面搭载了一块6.74英寸、1.5K黄金分辨率的AMOLED柔性直屏,实现超窄边框,屏占比高达93.69%,并且支持144Hz电竞刷新率。机身背壳采用AG玻璃工艺打造,搭配全新RGB环形呼吸灯,实现不同功能有不同的灯效体验。配置方面搭载了目前最先进的台积电4nm工艺的骁龙8+旗舰双芯,加上独有的超帧独显芯片Plus和冰芯双相变散热系统,完全有实力给消费者一种“越级”的游戏体验。同时真我GT Neo5还带来了16GB+1TB的满级内存组合,索尼IMX890 OIS超大的主摄让拍照也不在话下!

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这一次,风向真的变了,以美国为首的西方媒体纷纷表示中国发展得太快了。他们突然发现中国科技已经遥遥领先,如今想要依靠高尖端科技来封锁中国,已经不太可能了。就在美日荷对中国芯片制造施加新的设备出口管制和限制时,国内首个原生Chiplet小芯片标准发布。美国一直不遗余力的围堵中国芯片产业,时至今日,这种外部压力依然没有消退,甚至愈演愈烈,因为美国人深知,一旦中国的顶级芯片进入全球竞争那将意味着什么?在经历将近一年的漫长等待后,中国自己的“小芯片”标准终于有了实质性进展。Chiplet小芯片标准的诞生,将为国内芯片企业解决关键技术问题,也会为国内芯片产业带来巨大发展机遇。那么这个Chiplet小芯片究竟是什么呢?通俗来讲,它就好像是搭积木一样,可以将多个采用低工艺制程的模块,比如14纳米工艺的模块拼装在一起,从而达到4纳米工艺芯片的性能,使得厂商可以绕开先进制程工艺的限制。Chiplet不仅是芯片“模块化”的设计方法,也是异构集成的封装技术,这是一个了不起的突破,如今芯粒高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,目前已经在帮客户实现4nm Chiplet芯片,这意味着国产手机又可以夺回市场主导权!随着综合国力的不断增强,智能手机在技术方面不断突破,真我realme召开2023年首场新品发布会,正式推出新一代潮玩电竞旗舰机,#真我GT Neo5#,秉承“敢越级”的品牌理念,带来三大科技越级。全球首发量产240W满级秒充,可以做到“充电30秒,通话2小时”,让手机闪充真正进入读秒时代!不仅如此,真我GT Neo5还打造了新一代双芯旗舰,配备骁龙8+旗舰芯以及超帧独显芯片Plus。 而且创新的采用了透明RGB设计,实现透明区域无噪点,打造一体金属相机DECO,科技质感直接拉满,再加上新颖有趣的觉醒光环系统,在不同应用软件以及功能模式下,都可呈现出不一样的光效,可以说是科技满满。国产手机的强势崛起,在造福全球消费者的同时,凸显了中国科技发展的成就,也让世界看到了中国科技的创新力量。相信用不了多久,美国就能体会搬起石头砸自己的脚的痛苦!