电动货车可以跑货拉拉吗,新能源货车拉货什么地方都可以跑吗,新能源货车可以跑长途吗,新能源货车可以拉多重

北京福田智蓝系列、吉利远程系列新能源销售电话13261556966（同微信），以旧换新、分期付款（零首付）两三年分期均可，各种低息方案供您选择，办理营运证、市区通行证、验车上牌一体化服务！

 

新能源城市配送领域，想要大货厢同时还要一定灵活性，就不得不考虑各类纯电动“大面包”了，吉利远程E6封闭式厢车就是这么一款车型，它拥有7.85方大货厢，同时较小的车身行驶更灵活还能下地库，能满足这类城市物流用户的需求。

  北京吉利远程新能源销售电话13261556966（同微信）

目前市面上的纯电动“面包车”大部分都是基于海狮车型的基础上打造的，而吉利远程E6也不例外，同样是基于海狮打造，因此也继承了海狮的优势，拥有巨大的内部空间，同时也参考了海狮成熟的外观设计、内饰风格以及人性化设计。

远程E6的货厢容积达到了7.85方，这也得益于内部空间最大化的设计思路，把主要的动力部件都设置在前排座椅底下，而电池则被放置在车底，这也是常规做法，目的还是为了不影响车内空间。相比微面的4方货厢，远程E6的货厢容量要大很多，同时还能兼具城市行驶的灵活性，特别是这样的车身高度能让远程E6轻松进入地库。

动力方面则是配备了一款额定/峰值功率达45/90kW的永磁同步电机，其最大扭矩达到了360N.m，足够应付标载情况下的城市物流运输。

为了确保承载性能，前独悬后钢板弹簧悬架是这类车型最为常见的做法，远程E6同样如此，前桥采用独立悬挂并配有横向稳定杆，而后桥则为4片式板簧悬架

相信之前接触过金杯海狮的用户们看到远程E6的内饰都会有非常熟悉的感觉，远程E6的内饰同样也是延续了海狮的风格，采用上深下浅的配色，在功能性、储物空间以及材质用料方面都能令人满意，在城市物流的场景中，进出地库对配送车辆来说非常常见，但纯电动轻卡进不了，而纯电动微面货厢又太小，此时远程E6就正好满足了这一部分用户的需求，同时还能为用户提供7.85方大货厢以及超过200公里的续航里程，有需要的卡友不妨到店咨询

北京吉利远程新能源销售电话13261556966（同微信）

            

医疗器械未来十年黄金赛道 高端医疗器械龙头

医疗器械未来趋势,我国医疗器械未来市场的发展前景如何?,医疗器械趋势,未来的医疗器械

2022年，全球医疗器械市场已突破5000亿美元，2021-2025年复合增长率达5.4%，已匹配全球最具科技含量的半导体行业，预计2030年市场规模将超过8000亿美元。

与此同时，2022年中国医疗器械市场也已突破9000亿元(约1280亿美元)，2021-2025年复合增长率达13.7%，接近全球增速的3倍，预计2030年市场规模将超过22000亿元(约3200亿美元)，而那时中国将成为全球第一大医疗器械市场。

而在这其中，作为最具代表性的诊断设备，医学影像一直都是全球最大的单一市场，无论昨天、今天，还是明天。

医学影像五大细分领域(原创)

一、全球第三，世界第一

从概念上，医疗器械是非常庞大的，根据《医疗器械监督管理条例》，其是指直接或者间接用于人体的仪器、设备、器具、体外诊断试剂及校准物、材料以及其他类似或者相关的物品，包括所需要的计算机软件。

从宏观角度，医疗器械通常分为医疗设备、体外诊断试剂、高值医用耗材和低值医用耗材等四大市场，其中医疗设备规模最大，约占60%左右，这其中又以医学影像比最高。

从细分领域角度，前五大细分领域是体外诊断、心血管、医学影像、骨科和眼科。其中，其他四大领域以耗材和试剂为主，只有影像诊断是以设备为主。

从行业规模角度，尽管医学影像仅位列全球第三，但与多达几百甚至数千种的耗材和试剂相比，占据全球9.2%市场份额的医学影像仅涵盖XR、CT、MR、US、MI等5个子领域13类产品。因此可以说，医学影像堪称全球第1大单一市场。

有趣的是，尽管医学影像的市场规模惊人，但这应该是整个医疗器械行业竞争压力最小的赛道，整个行业只有200~300家整机和关键零部件企业，因其拥有业界最高的技术壁垒。

全球医疗器械子领域占比(原创)

二、下游、中游、上游

医疗影像设备上下游产业链包括：1）上游为原材料、零部件供应、设备供应、第三方服务、加工商等；2）中游为CT、MR、DR、DSA等设备；3）下游为各级医疗机构。

客观的说，医学影像行业的技术难度是不亚于航空航天的。目前，借助于我国大工业体系，当前我国形成了一定规模的医学影像产业链，比如以北京为中心的环渤海区的DR(北京)、磁共振(北京/天津)、加速器(北京)产业聚集地，以上海为中心的长三角区的超声(无锡)、磁共振(宁波)、PET(上海/杭州)、球管(苏州/杭州)、探测器(上海/苏州)产业聚集地，以深圳为中心的大湾区的超声、磁共振、伽马刀、立体定向放疗产业聚集地。这主要得益于巨大的内需市场、强大的中国制造、和有力的政策支持。

1、巨大的内需市场

根据国家卫健委统计信息中心数据，截至2021年10月底，全国医院3.6万家，其中公立医院1.2万家，民营医院2.4万家，这是我国医学影像的核心基本盘，更是我国作为全球第二大医学影像设备市场的底气。

根据IMS Health，我国医疗器械和医药的消费比例仅为0.1：1，远低于全球的1：1水平，这意味着我国医疗器械仍有较大发展空间，作为最重要的诊断设备，医学影像更是首当其冲。

此外，随着近年来我国经济高速发展、人口老龄化问题加重，民众健康意识的提高，医疗保健服务的需求持续增加，国内市场对高品质医学影像的需求快速增长。

在刚性需求及发展潜力的双重驱动下，2022年我国医学影像终端市场规模为1200亿~1500亿元，预计2030 年市场规模将达到2200 亿~2500亿元，年均复合增长率将达7.9%。

我国各级医院情况(原创)

2、强大的中国制造

“十三五”期间，我国医疗设备产业高速发展，制造体系基本健全，形成了22大类1100多个品类的产品体系，覆盖卫生健康的各个环节，现已进入“跟跑、并跑、领跑”并存的新阶段。

得益于我国综合国力的提升和工业体系的完善，GPS、佳能、瓦立安、医科达、万睿视等企业将部分生产线搬到国内，一方面有助于更好服务中国市场，另一方面促进了国内医学影像产业链的发展。

由于极高的技术门槛，2010年前，我国仅有东软医疗、万东医疗、深圳安科、迈瑞医疗等影像设备企业。得益于支持国产的政策和国际知名企业为我国培养了大量研发和市场人才，2010年后我国影像设备行业迎来了井喷式发展，出现了大量CT、MR、US、XR等整机厂商和球管、高压发生器、探测器等关键零部件企业。

比如，联影医疗、明峰医疗、赛诺威盛、波影医疗、唯迈医疗、宽腾医疗、赛诺联合、电气康达等近百家整机厂商。比如，奕瑞科技、康众医疗、善思微、昆山医源、麦默真空、杭州凯龙、珠海睿影、南宁跃龙等数十家关键零部件企业。

根据《“十四五”医疗装备产业发展规划》发展目标，到2025年我国医疗装备产品认可度、品牌美誉度及国际影响力快速提升，6-8家企业跻身全球医疗器械行业50强，这意味着将出现2-3家有能力比肩GPS的医学影像设备企业。

医学影像上下游产业链(原创)

3、有力的政策支持

自2012年医改以来，国家相关部门连续出台了一系列的医疗行业相关政策，旨在优化医疗服务水平、鼓励分级诊疗实施、推动医疗资源下沉，这意味着除长期作为传统主力的二级及以上医院外，医学影像行业又出现了新的增量市场。

此外，近两年国家又在积极推动DRG/DIP医保支付和影像检查互认，从短期来看确实会一定程度影响设备的销量，因此很多同行认为这对医院和设备厂商是不利的。但从目前情况和长远发展来看，这反而是好事。

一方面，DRG/DIP会进一步推动医院精细化管理，更加懂得科学决策。这意味着医院会减少亏本设备的投入，加大投入更具效益的影像诊断设备。

另一方面，影像检查互认会让医院更加重视“一次检查成功”，这意味着医院将加速设备的迭代升级，以后中高端设备将成为行业新的主流。

三、凛冬已逝，暖春将至

由于疫情，过去三年我国医疗基本是围绕抗疫和强基层为主，因此医学影像行业的关键词主要是CT、车载CT、移动DR、发热门诊、方舱医院，一方面促进了CT行业的空前发展，但由于预算等原因，医院也不得已抑制了医院其他影像设备的需求。

2023年疫情正式结束，我国最主要的就是拼经济。同样，各级医疗机构也将恢复对以磁共振、以PET/CT为代表核医学、以乳腺、牙科和DR/DRF为代表的普放，以移动C形臂和DSA为基表的介入诊疗等产品的需求。

这一切当然是有迹可循的，根据全球知名行业研究机构Signify Research的报告，国外在2021年疫情放开后，与2020年相比，其固定DR市场的同比增幅高达15%，多功能透视系统(DRF)市场的同比增幅高达18%，移动C形臂市场的同比增幅高达15.5%，DSA市场的同比增幅高达10.2%。

2022年，医疗器械行业最重要的便是“财政贴息”更新医疗设备，而这其中医学影像贴息规模高达1000亿元，成为最大的赢家。2022年项目尚未结束，2023年或仍将继续进行。

此外，随着大型医用设备配置审批的进一步放宽，将再次促进CT、MR等高端医学影像设备市场的扩增。

这一切当然也是有迹可循的，比如已经大火了三年的CT，并不会因为疫情结束而骤然下降，作为整个医疗设备行业投资回报率最高的设备，CT会依然坚挺，其新增和更新将永远是医院最重要的刚需之一，尤其是兼顾了社会效益的高端CT。

在这样的背景下，我们将看到部分国际知名企业继续在我国享受红利，大部分国产整机和关键零部件厂商将继续茁壮成长，部分企业的股价进一步提高，部分企业将成功上市，而这一切都得益于我国庞大的内需市场和完善的工业体系。。。

半导体芯片最新消息

半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

?

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等

半导体

等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动?[1]。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导

半导体

体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

半导体Semiconductor；intrinsic semiconductor

有机半导体[电子] organic semiconductor；TCNQ；OSTS

半导体晶体[电子] semiconductor crystal；[电子] semiconducting crystal；[电子] crystal semiconducting；[电子] Crystal Semiconductor

纯半导体intrinsic semiconductor；pure semiconductor

半导体玻璃semiconducting glass；semiconductorglass

半导体整流semiconductor rectifier；semiconductor rectifier,semiconductor rectifier

离子半导体ionic semiconductor

半导体芯片semiconductor chips；conductor chip；semiconductor pellet；semiconductor chip,semiconductor chip

半导体制冷semiconductor refrigeration；Semi-conductor refrigerant；Semiconductor Cooling；

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

空穴电流：自由电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。

本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。

多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。

少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。

受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。

P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

多子：N型半导体中，多子为自由电子。

少子：N型半导体中，少子为空穴。

施主原子：杂质原子可以提供电子，称施主原子。

N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

结论：

多子的浓度主要决定于杂质浓度。

少子的浓度主要决定于温度。

PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，

PN结的形成过程

在它们的交界面就形成PN结。

PN结的形成过程：如图所示，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。

扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。

空间电荷区：由于扩散运动使得PN结交界面产生一片复合区域，可以说这里没有多子，也没有少子。因为刚刚扩散过来就会立刻与异性复合，此运动不断发生着（此处请专家斟酌）。P区一侧出现负离子区，N区出现正离子区，它们基本上是固定的，称为空间电荷区。

电场形成：空间电荷区形成内电场。

空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。

漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。

电位差：空间电荷区具有一定的宽度，形成电位差Uho，电流为零。

耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少，在分析PN结时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。

PN结的特点：具有单向导电性。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。如果感兴趣可以读一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中关于半导体的一些说明?[2]。

半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。

★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

PN伏安特性

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上